MBE法により成長させたエレクトロルミネセンス薄膜SrGa<sub>2</sub>S<sub>4</sub>:Ceにおける青色発光と結晶学的特性に対するCe濃度依存性

TANAKA K; INOUE Y; OKAMOTO S; KOBAYASHI K; TAKIZAWA K

文献

J-GLOBAL ID：200902146682975900 整理番号：97A0693979

MBE法により成長させたエレクトロルミネセンス薄膜SrGa₂S₄:Ceにおける青色発光と結晶学的特性に対するCe濃度依存性

Dependence on Ce Concentration of Blue Emission and Crystallographic Properties in SrGa₂S₄:Ce Electroluminescent Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy.

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資料名：
巻： 36 号： 6A ページ： 3517-3521 発行年： 1997年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記の薄膜において,青色発光特性に対するCeドーピング濃度依...

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無機化合物のルミネセンス , その他の無機化合物の薄膜

引用文献 (10件)：

1) W. A. Barrow, R. C. Coovert, E. Dickey, C. N. King, C. Laakso, S. S. Sun, R. T. Tuenge, R. Wetross and J. Kane: 1993 SID Int. Symp. Dig., Washington (Society for Information Display, 1993) p. 761.
2) K. Tanaka, Y. Inoue, S. Okamoto and K. Kobayashi: J. Cryst. Growth 150 (1995) 1211.
3) Y. Inoue, K. Tanaka, S. Okamoto, Y. Tsuchiya and K. Kobayashi: Asia Display'95 Int. Symp. Dig., Hamamatsu (Society for Information Display, 1995) p. 939.
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5) R. H. Mauch, K. O. Velthaus, G. Bilger and H. W. Schock: J. Cryst. Growth 117 (1992) 964.

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MBE法により成長させたエレクトロルミネセンス薄膜SrGa2S4:Ceにおける青色発光と結晶学的特性に対するCe濃度依存性

MBE法により成長させたエレクトロルミネセンス薄膜SrGa₂S₄:Ceにおける青色発光と結晶学的特性に対するCe濃度依存性