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J-GLOBAL ID：200902147187131734   整理番号：01A0862308

高密度Krプラズマ中で発生した酸素ラジカルによる高信頼性極薄シリコン酸化膜の低温形成

Highly Reliable Ultrathin Silicon Oxide Film Formation at Low Temperature by Oxygen Radical Generated in High-Density Krypton Plasma.

著者 (4件)： SEKINE K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITO Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIRAYAMA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHMI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 48  号： 8  ページ： 1550-1555  発行年： 2001年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS技術にとって重要な薄くて高品質のシリコン酸化膜を低温で...

シソーラス用語： *半導体プロセス ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Kr ,  プラズマ ,  酸素ラジカル ,  高信頼性 ,  シリコン酸化膜 ,  低温形成