文献

J-GLOBAL ID：200902147303321350   整理番号：94A0450954

RFラジカル窒素MBE法によるMgO,Al₂O₃基板上へのGaN成長

Growth of GaN crystals on MgO and Al2O3 substrates by GSMBE using RF-radical nitrogen.

著者 (4件)： 菊池昭彦 (上智大 理工) ,  星裕之 (上智大 理工) ,  蒔田篤志 (上智大 理工) ,  岸野克巳 (上智大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 41st  号： Pt 1  ページ： 182  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： Rf ,  ラジカル ,  窒素 ,  MBE ,  MgO ,  Al2O3 ,  GaN ,  成長