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J-GLOBAL ID：200902147374839198   整理番号：95A0422045

シリコン上のNi-P合金のレーザ誘起選択堆積

Laser-induced selective deposition of Ni-P alloy on silicon.

著者 (4件)： WANG J (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  FEI X (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YU Z (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  ZHAO G (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 84  号： 4  ページ： 383-389  発行年： 1995年04月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザ照射の下でホスフィン酸塩を使った無電解Niめっき溶液中...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  Ni ,  P合金 ,  レーザ誘起 ,  堆積