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J-GLOBAL ID:200902147477127374   整理番号:99A0420140

銅BEOLを使用した高性能0.18μm論理回路技術へのトレンチ型DRAMの集積化

Integration of Trench DRAM into a High-Performance 0.18μm Logic Technology with Copper BEOL.
著者 (9件):
資料名:
巻: 1998  ページ: 1017-1020  発行年: 1998年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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最新の論理回路技術と共用可能で既存の論理回路の再設計の必要の...
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分類 (2件):
分類
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半導体集積回路  ,  固体デバイス製造技術一般 

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