純粋なECWR-SiH<sub>4</sub>プラズマからのナノ結晶性シリコン薄膜(nc-Si:H)の析出

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J-GLOBAL ID：200902147603649594 整理番号：96A0654684

純粋なECWR-SiH₄プラズマからのナノ結晶性シリコン薄膜(nc-Si:H)の析出

Deposition of nanocrystalline silicon films(nc-Si:H) from a pure ECWR-SiH₄ plasma.

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資料名：
巻： 198/200 号： Pt 2 ページ： 895-898 発行年： 1996年05月
JST資料番号： D0642A ISSN： 0022-3093 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

プラズマ励起のために電子サイクロトロン波共鳴(ECWR)を使...

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半導体薄膜

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