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J-GLOBAL ID：200902147604006433   整理番号：95A0571252

MBE成長したCuGaSe₂薄膜のPL特性

PL characterization of CuGaSe2 thin films grown by MBE.

著者 (9件)： 山田昭政 (電総研) ,  河合倫大 (東京理大 理工) ,  神頭卓司 (東京理大 工) ,  牧田雄之助 (電総研) ,  仁木栄 (電総研) ,  小原明 (電総研) ,  秩父重英 (東京理大 理工) ,  中西久幸 (東京理大 理工) ,  入江泰三 (東京理大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd  号： Pt 3  ページ： 1301  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： MBE成長 ,  薄膜 ,  PL