触媒化学蒸着系でNH<sub>3</sub>分解種を利用したシリコン表面の低温窒化

IZUMI A; MATSUMURA H

文献

J-GLOBAL ID：200902147698331430 整理番号：97A0902422

触媒化学蒸着系でNH₃分解種を利用したシリコン表面の低温窒化

Low-temperature nitridation of silicon surface using NH₃-decomposed species in a catalytic chemical vapor deposition system.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=97A0902422&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0902422&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 71 号： 10 ページ： 1371-1372 発行年： 1997年09月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

触媒化学蒸着系で加熱タングステン上にNH<sub>3</su...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0902422&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体の表面構造

, , , , ,

前のページに戻る

触媒化学蒸着系でNH3分解種を利用したシリコン表面の低温窒化

触媒化学蒸着系でNH₃分解種を利用したシリコン表面の低温窒化