文献

J-GLOBAL ID：200902147739494870   整理番号：02A0146723

集束イオンビームで作製したトランジスタにおける静電ポテンシャル分布の電子ホログラフィー評価

Electron holographic characterization of electrostatic potential distributions in a transistor sample fabricated by focused ion beam.

著者 (5件)： WANG Z (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  HIRAYAMA T (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  SASAKI K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KATO N (International Test and Engineering Serv.(ITES) Co. Ltd., Shiga-ken, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 2  ページ： 246-248  発行年： 2002年01月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： けい素MOSFETの断面試料を集束イオンビーム法で作製し,軸...

シソーラス用語： 集束イオンビーム ,...
準シソーラス用語： イオンビームリソグラフィー ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0146723&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 集束イオンビーム ,  作製 ,  トランジスタ ,  静電ポテンシャル ,  分布 ,  電子ホログラフィー ,  評価