AlGaN/GaNベースの高性能UV発光ダイオードの作製

WANG T; LIU Y H; LEE Y B; IZUMI Y; AO J P; BAI J; LI H D; SAKAI S

文献

J-GLOBAL ID：200902147792871243 整理番号：02A0267351

AlGaN/GaNベースの高性能UV発光ダイオードの作製

Fabrication of high performance of AlGaN/GaN-based UV light-emitting diodes.

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 235 号： 1/4 ページ： 177-182 発行年： 2002年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

有機金属化学的気相成長法によりサファイア基板上に標記ダイオー...

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半導体薄膜 , 発光素子

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