窒素ドープGe2Sb2Te5薄膜の結晶構造と微細構造

文献

J-GLOBAL ID：200902147939599447 整理番号：00A0520003

窒素ドープGe₂Sb₂Te₅薄膜の結晶構造と微細構造

Crystal Structure and Microstructure of Nitrogen-Doped Ge₂Sb₂Te₅ Thin Film.

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資料名：
巻： 39 号： 5A ページ： 2775-2779 発行年： 2000年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

相変化光ディスクの有望な候補である窒素ドープGe2...

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半導体薄膜

引用文献 (9件)：

KOJIMA, R. Joint Magneto-Optical Recording Int. Symp./Int. Symp. Optical Memory. Tech. Dig. 1997, 292
YAMADA, N. J. Appl. Phys. 1991, 69, 2849
ABRIKOSOV, N. Kh. Izv. Akad. Auk. SSSR Neorg. Mater. 1965, 1, 204
Natl. Bur. Stand (U. S.) Monogr. 1985, 22
ICDD 36-1452

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