文献

J-GLOBAL ID：200902148025080423   整理番号：99A0703204

高窒素圧下におけるGaN単結晶の成長とその特性評価

Growth of GaN Single Crystals under High Nitrogen Pressures and their Characterization.

著者 (1件)： KRUKOWSKI S (High Pressure Res. Center, Warsaw, POL)
資料名： Crystal Research and Technology  (Crystal Research and Technology)
巻： 34  号： 5/6  ページ： 785-795  発行年： 1999年 
JST資料番号： B0738A  ISSN： 0232-1300  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在まで発表されたGaN単結晶の高圧溶液成長と特性評価の論文...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素 ,  圧 ,  GaN ,  単結晶の成長 ,  特性評価