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J-GLOBAL ID：200902148104587568   整理番号：01A0212677

プラズマCVDによるa-SiGe:H薄膜堆積に関する巨視的解析

Macroscopic Analyses of a-SiGe:H Film Deposition by Plasma CVD.

著者 (1件)： 市川幸美 (富士電機総合研)
資料名： 電気学会論文誌 A  (IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials)
巻： 121-A  号： 1  ページ： 52-58  発行年： 2001年01月01日 
JST資料番号： S0808A  ISSN： 0385-4205  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水素化アモルファスシリコン(a-Si)系薄膜などの堆積をプラ...

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (10件)：

• 市川幸美. 最近の太陽電池. O plus E. 1998, 20, 409-415
• CHANG, J. S. The Effect of Discharge Tube Shape and Flow Velocity on the Electron Temperature of a Medium Pressure Positive Column. Jpn.J.Appl.Phys. 1979, 18, 847-848
• MATSUDA, A. Temperature Dependence of the Sticking and Loss Probability of Silyl Radicals on Hydrogenated Amorphous Silicon. Suraface Science. 1990, 227, 50-56
• YANG, J. Recent Progress in Amorphous Silicon Alloy Leading to 13% Stable Cell Efficiency. Proc.26th IEEE PV Specialists Conf. 1997, 563-568
• TSU, D. V. Effect of hydrogen dilution on the structure of amorphous silicon alloys. Appl.Phys.Lett. 1997, 71, 1317-1319

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマCVD ,  SiGe ,  薄膜 ,  堆積 ,  解析