文献

J-GLOBAL ID：200902148126303598   整理番号：94A0925698

Gauss分布の線形状ビームをもつエキシマレーザアニーリングによる非晶質シリコンの結晶化

Crystallization of Amorphous Silicon by Excimer Laser Annealing with a Line Shape Beam Having a Gaussian Profile.

著者 (4件)： JHON Y M (Korea Inst. Science and Technology, Seoul, KOR) ,  KIM D H (Korea Inst. Science and Technology, Seoul, KOR) ,  CHU H (Korea Inst. Science and Technology, Seoul, KOR) ,  CHOI S S (Korea Inst. Science and Technology, Seoul, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 33  号： 10B  ページ： L1438-L1441  発行年： 1994年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のエキシマレーザを一次元走査して50×50mm<sup>...

シソーラス用語： レーザアニーリング ,...
準シソーラス用語： レーザフルエンス

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0925698&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Gauss分布 ,  線形 ,  ビーム ,  非晶質シリコン ,  結晶化