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J-GLOBAL ID：200902148193175952   整理番号：97A0380028

超低電圧VLSI用ダイナミックしきい値電圧MOSFET(DTMOS)

Dynamic Threshold-Voltage MOSFET(DTMOS) for Ultra-Low Voltage VLSI.

著者 (6件)： ASSADERAGHI F (IBM Corp., NY, USA) ,  SINITSKY D (Univ. California, CA, USA) ,  PARKE S A (IBM Corp., NY, USA) ,  BOKOR J (Univ. California, CA, USA) ,  KO P K (Univ. California, CA, USA) ,  HU C (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 44  号： 3  ページ： 414-422  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低電圧(0.6V以下)VLSI回路に適したMOSFETの新...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電圧 ,  VLSI ,  しきい値電圧 ,  MOSFET