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J-GLOBAL ID：200902148224644689   整理番号：95A0394226

半導体デバイス特集 携帯電話用n^-/n2段リセスPower GaAs FET

Special Issue on Semiconductor Devices. Step-recessed Gate Power GaAs MESFETs with a Step-doped Profile for Hand-held Phones.

著者 (8件)： 斎藤靖雄 (NEC) ,  東晃司 (NEC) ,  川端隆弘 (NEC関西) ,  新宮善蔵 (NEC関西) ,  麻埜和則 (NEC ULSIデバイス開研) ,  高橋英匡 (NEC ULSIデバイス開研) ,  猪砂佳子 (NEC 関西エレクトロニクス研) ,  岩田直高 (NEC 関西エレクトロニクス研)
資料名： NEC技報  (NEC Technical Journal)
巻： 48  号： 3  ページ： 167-168  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： G0475B  ISSN： 0285-4139  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 携帯電話用途としてn^-/n2段リセスP...

シソーラス用語： 陸上移動通信 ,...

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分類 (2件)： 電話  (ND11030P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体デバイス ,  携帯電話 ,  N2 ,  GaAs ,  FET