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J-GLOBAL ID：200902148397307840   整理番号：01A0398840

Pt-パッシベートSi上にアルコキシにより作製したCaBi₄Ti₄O₁₅薄膜の強誘電特性

Ferroelectric properties of alkoxy-derived CaBi₄Ti₄O₁₅ thin films on Pt-passivated Si.

著者 (4件)： KATO K (National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN) ,  SUZUKI K (National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN) ,  NISHIZAWA K (National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN) ,  MIKI T (National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 8  ページ： 1119-1121  発行年： 2001年02月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt(111)/TiO_x/SiO<su...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： 疲労

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Pt ,  パッシベート ,  Si ,  作製 ,  薄膜 ,  強誘電特性