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J-GLOBAL ID：200902148470350163   整理番号：00A0388981

真空反応性蒸着によるSi(111)上のウルツ鉱型GaNのエピタキシャル成長

Epitaxial growth of wurtzite GaN on Si(111) by a vacuum reactive evaporation.

著者 (3件)： ZHANG H (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  YE Z (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHAO B (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 87  号： 6  ページ： 2830-2834  発行年： 2000年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNバッファ層を付けたSi(111)上に簡単な反応性蒸着に...

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,...
準シソーラス用語： 真空反応性蒸着

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 真空 ,  反応性蒸着 ,  Si ,  ウルツ鉱 ,  GaN ,  エピタキシャル成長