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J-GLOBAL ID：200902148593794694   整理番号：97A0704648

4H炭化けい素中のイオン化速度および臨界電場

Ionization rates and critical fields in 4H silicon carbide.

著者 (4件)： KONSTANTINOV A O (ABB Corporate Res., Kista, SWE) ,  WAHAB Q (ABB Corporate Res., Kista, SWE) ,  NORDELL N (ABB Corporate Res., Kista, SWE) ,  LINDEFELT U (ABB Corporate Res., Kista, SWE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 71  号： 1  ページ： 90-92  発行年： 1997年07月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCのエピタキシャルp-nダイオードを作り,なだれ増...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭化けい素 ,  イオン化 ,  臨界 ,  電場