シリコン基板上の選択領域に蒸着した青色GaN-InGaN多重量子井戸発光ダイオード

YANG J W; LUNEV A; SIMIN G; CHITNIS A; SHATALOV M; KHAN M A; VAN NOSTRAND J E; GASKA R

文献

J-GLOBAL ID：200902148611083067 整理番号：00A0192669

シリコン基板上の選択領域に蒸着した青色GaN-InGaN多重量子井戸発光ダイオード

Selective area deposited blue GaN-InGaN multiple-quantum well light emitting diodes over silicon substrates.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=00A0192669&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0192669&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 76 号： 3 ページ： 273-275 発行年： 2000年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

分子ビームエピタクシーと低圧有機金属化学蒸着法の特別な組み合...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0192669&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 発光素子

, , , , , ,

前のページに戻る