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J-GLOBAL ID：200902148953656387   整理番号：98A0005072

InGaAs量子井戸に基づいたヘテロ接合フォトトランジスタの性能に対する歪緩和効果の比較研究

A Comparative Study of Strain Relaxation Effects on the Performance of InGaAs Quantum-Well-Based Heterojunction Phototransistors.

著者 (7件)： GHISONI M (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg) ,  SJOELUND O (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg) ,  LARSSON A (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg) ,  THORDSON J (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg) ,  ANDERSSON T (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg) ,  WANG S M (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg) ,  HART L (Imperial Coll., London, GBR)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 3  号： 3  ページ： 768-779  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-p-i-n配置を用いた標題フォトトランジスタ(HPT)の...

シソーラス用語： *フォトトランジスタ ,...
準シソーラス用語： 歪緩和 ,...

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分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  量子井戸 ,  ヘテロ接合 ,  フォトトランジスタ ,  歪 ,  緩和効果 ,  研究