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J-GLOBAL ID：200902148956166445   整理番号：95A0278493

パルスレーザアニーリングとリモートプラズマCVDを用いて低温プロセスで形成した高性能ポリSiTFT

High Performance Poly-Si TFTs Fabricated Using Pulsed Laser Annealing and Remote Plasma CVD with Low Temperature Processing.

著者 (5件)： KOHNO A (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SAMESHIMA T (Sony Research Center, Yokohama, JPN) ,  SANO N (Sony Research Center, Yokohama, JPN) ,  SEKIYA M (Sony Research Center, Yokohama, JPN) ,  HARA M (Sony Research Center, Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 42  号： 2  ページ： 251-257  発行年： 1995年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300°C以下の温度でポリSiTFTを形成するキーテクノロジー...

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  レーザアニーリング ,  プラズマCVD ,  低温プロセス ,  高性能