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J-GLOBAL ID：200902149006773015   整理番号：02A0702390

低電力VLSI用強誘電体ベースの機能性パスゲート

Ferroelectric-Based Functional Pass-Gate for Low-Power VLSI.

著者 (6件)： KIMURA H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANYU T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAMEYAMA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJIMORI Y (Rohm Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA T (Rohm Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  TAKASU H (Rohm Co., Ltd., Kyoto, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2002  ページ： 196-199  発行年： 2002年 
JST資料番号： W0767A  ISSN： 2158-5601  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 情報伝達のあい路を解決するキー技術である論理回路に蓄積機能を...

シソーラス用語： *超LSI ,...
準シソーラス用語： 機能性パスゲート ,...

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分類 (3件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  論理回路  (NC05070B) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電力 ,  VLSI ,  強誘電体 ,  機能性 ,  パスゲート