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J-GLOBAL ID:200902149140487797   整理番号:02A0674223

シリコンおよび各種金属基板上の原子層堆積により成長させたAl2O3薄膜の電気特性評価

Electrical characterization of thin Al2O3 films grown by atomic layer deposition on silicon and various metal substrates.
著者 (4件):
資料名:
巻: 413  号: 1/2  ページ: 186-197  発行年: 2002年06月24日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  金属-絶縁体-半導体構造 

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