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J-GLOBAL ID：200902149140487797   整理番号：02A0674223

シリコンおよび各種金属基板上の原子層堆積により成長させたAl₂O₃薄膜の電気特性評価

Electrical characterization of thin Al₂O₃ films grown by atomic layer deposition on silicon and various metal substrates.

著者 (4件)： GRONER M D (Univ. Colorado, CO, USA) ,  ELAM J W (Univ. Colorado, CO, USA) ,  FABREGUETTE F H (Univ. Colorado, CO, USA) ,  GEORGE S M (Univ. Colorado, CO, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 413  号： 1/2  ページ： 186-197  発行年： 2002年06月24日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚み30~3540ÅのAl₂O<sub...

シソーラス用語： *原子層エピタクシー ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： シリコン ,  金属基板 ,  原子層堆積 ,  成長 ,  Al2O3 ,  薄膜 ,  電気特性 ,  評価