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J-GLOBAL ID：200902149198504020   整理番号：02A0941376

原子層堆積によるHf基ゲート絶縁体におけるAl2O3添加の制御による結晶化の抑制

Suppressed crystallization of Hf-based gate dielectrics by controlled addition of Al2O3 using atomic layer deposition.
著者 (9件)：
HO M-Y

HO M-Y について

(National Univ. Singapore, SGP)

National Univ. Singapore, SGP について

, 
GONG H

GONG H について

(National Univ. Singapore, SGP)

National Univ. Singapore, SGP について

, 
WILK G D

WILK G D について

(Agere Systems, New Jersey)

Agere Systems, New Jersey について

, 
GREEN M L

GREEN M L について

(Agere Systems, New Jersey)

Agere Systems, New Jersey について

, 
LIN W H

LIN W H について

(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)

Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP について

, 
SEE A

SEE A について

(Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP)

Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Singapore, SGP について

, 
LAHIRI S K

LAHIRI S K について

(Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP)

Inst. Materials Res. and Engineering, Singapore, SGP について

, 
RAEISAENEN P I

RAEISAENEN P I について

(ASM America Inc., Arizona)

ASM America Inc., Arizona について

, 
GUSTAFSSON T

GUSTAFSSON T について

(Rutgers Univ., New Jersey)

Rutgers Univ., New Jersey について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 81  号： 22  ページ： 4218-4220  発行年： 2002年11月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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MOS構造

MOS構造 について

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分類 (1件)：
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

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ゲート絶縁体

ゲート絶縁体 について

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, 
結晶化

結晶化 について


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