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J-GLOBAL ID：200902149277338527   整理番号：02A0692227

超薄高κゲート誘電体を組込んだゲルマニウムMOSキャパシタ

Germanium MOS Capacitors Incorporating Ultrathin High-κ Gate Dielectric.

著者 (5件)： CHUI C O (Stanford Univ., CA, USA) ,  RAMANATHAN S (Stanford Univ., CA, USA) ,  TRIPLETT B B (Stanford Univ., CA, USA) ,  MCINTYRE P C (Stanford Univ., CA, USA) ,  SARASWAT K C (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 23  号： 8  ページ： 473-475  発行年： 2002年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高誘電率(κ)ゲート誘電体材料である酸化ジルコニウムを取込ん...

シソーラス用語： *コンデンサ ,...
準シソーラス用語： 界面状態

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分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高κゲート誘電体 ,  ゲルマニウム ,  MOSキャパシタ