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J-GLOBAL ID：200902149325597475   整理番号：98A0861495

局所応力を用いたシリコン-オン-絶縁体トランジスタとバルクシリコントランジスタのホール移動度の改善

Hole Mobility Improvement in Silicon-on-Insulator and Bulk Silicon Transistors Using Local Strain.
著者 (4件)：
TIWARI S

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(IBM Res. Div., NY)

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, 
FISCHETTI M V

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(IBM Res. Div., NY)

IBM Res. Div., NY について

, 
MOONEY P M

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(IBM Res. Div., NY)

IBM Res. Div., NY について

, 
WELSER J J

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(IBM Res. Div., NY)

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資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

Technical Digest. International Electron Devices Meeting について


巻： 1997  ページ： 939-941  発行年： 1997年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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応力による輸送特性の改善は,Ga1-x...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*MOSFET

MOSFET について

,...
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ホール移動度

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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

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タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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局所応力

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シリコン

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, 
絶縁体

絶縁体 について

, 
トランジスタ

トランジスタ について

, 
バルクシリコン

バルクシリコン について

, 
ホール移動度

ホール移動度 について


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