高抵抗率SiO2/Si基板上のレーザアブレーションエピタキシャルNa0.5K0.5NbO3薄膜の低周波およびマイクロ波特性

ABADEI S; GEVORGIAN S; CHO C-R; GRISHIN A

文献

J-GLOBAL ID：200902149441998495 整理番号：02A0267498

高抵抗率SiO₂/Si基板上のレーザアブレーションエピタキシャルNa_0.5K_0.5NbO₃薄膜の低周波およびマイクロ波特性

Low-frequency and microwave performances of laser-ablated epitaxial Na_0.5K_0.5NbO₃ films on high-resistivity SiO₂/Si substrates.

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巻： 91 号： 4 ページ： 2267-2276 発行年： 2002年02月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記基板上にレーザアブレーションで0.5μm厚のc軸配向エピ...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 酸化物薄膜

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