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J-GLOBAL ID：200902149707123732   整理番号：96A0920963

Bイオン注入したSi結晶中におけるアニール拡散

Annealing diffusion in a B ion implanted Si crystal.

著者 (4件)： 中村正人 (北大) ,  渡辺精一 (北大) ,  坂口紀史 (北大) ,  高橋平七郎 (北大)
資料名： 日本金属学会講演概要  (Collected Abstracts of the Meeting of the Japan Institute Metals)
巻： 119th  ページ： 394  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： S0988A  ISSN： 1342-5730  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： Bイオン ,  注入 ,  Si結晶 ,  アニール ,  拡散