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J-GLOBAL ID：200902149770337297   整理番号：01A1076180

GaAs表面でのGaの吸着-脱離挙動に関する新規な理論的アプローチ

A new theoretical approach to adsorption-desorption behavior of Ga on GaAs surfaces.

著者 (5件)： KANGAWA Y (Gakushuin Univ., Tokyo, JPN) ,  ITO T (Mie Univ., Mie, JPN) ,  TAGUCHI A (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIRAISHI K (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  OHACHI T (Doshisha Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 493  号： 1/3  ページ： 178-181  発行年： 2001年11月01日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気相の自由エネルギーを考慮に入れることにより,半導体表面での...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： ビーム等価圧

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分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  Ga ,  吸着 ,  脱離 ,  挙動 ,  理論