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J-GLOBAL ID：200902149814641428   整理番号：99A1009092

MOCVD法によるSiδ-ドーピングGaNの結晶成長

著者 (6件)： 足立雅和 (名古屋工大) ,  石川博康 (名古屋工大) ,  江川孝志 (名古屋工大) ,  神保孝志 (名古屋工大) ,  梅野正義 (名古屋工大) ,  ZHAO G Y (名古屋工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 60th  号： 1  ページ： 295  発行年： 1999年09月01日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOCVD ,  Si ,  ドーピング ,  GaN ,  結晶成長