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J-GLOBAL ID:200902149833981787   整理番号:94A0723834

高分解能X線回折と透過形電子顕微鏡によるSbを多量にドープしたSiの特性評価

Characterization of highly Sb-doped Si using high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy.
著者 (4件):
資料名:
巻: 76  号:ページ: 763-767  発行年: 1994年07月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高分解能X線回折によってSbドープSiの成長直後およびアニー...
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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