高分解能X線回折と透過形電子顕微鏡によるSbを多量にドープしたSiの特性評価

RADAMSON H H; SARDELA M R JR; HULTMAN L; HANSSON G V

文献

J-GLOBAL ID：200902149833981787 整理番号：94A0723834

高分解能X線回折と透過形電子顕微鏡によるSbを多量にドープしたSiの特性評価

Characterization of highly Sb-doped Si using high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy.

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資料名：
巻： 76 号： 2 ページ： 763-767 発行年： 1994年07月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高分解能X線回折によってSbドープSiの成長直後およびアニー...

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半導体薄膜

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