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J-GLOBAL ID：200902149922183940   整理番号：02A0573492

電気的劣化した4H-SiC p⁺/n^ー/n⁺ダイオードの構造欠陥

Structural defects in electrically degraded 4H-SiC p⁺/n^-/n⁺ diodes.

著者 (8件)： PERSSON P O A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HULTMAN L (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JACOBSON H (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  BERGMAN J P (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZEN E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  MOLINA-ALDAREGUIA J M (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  CLEGG W J (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  TUOMI T (Helsinki Univ. Technol., FIN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 80  号： 25  ページ： 4852-4854  発行年： 2002年06月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のpinダイオードの長期動作では三角形構造欠陥が発生し,...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  ダイオード ,  構造欠陥