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J-GLOBAL ID：200902150002014541   整理番号：95A0586765

GSMBEによるSi_1-xGe_x/Si(100)混晶膜上のSi膜初期成長時の原子間混合現象

Atomic mixing phenomena in the initial growth of Si on Si1-xGex/Si(100) using GSMBE.

著者 (6件)： 佐藤清彦 (名古屋大 工) ,  松山剛 (名古屋大 工) ,  清水隆也 (名古屋大 工) ,  池田浩也 (名古屋大 工) ,  財満鎮明 (名古屋大 工) ,  安田幸夫 (名古屋大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd  号： Pt 1  ページ： 286  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： GSMBE ,  Si ,  混晶 ,  Si膜 ,  初期成長 ,  原子 ,  現象