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J-GLOBAL ID：200902150036459690   整理番号：95A0447921

低温CMOS薄膜トランジスタに対するAs堆積の多結晶シリコン膜の応用

Application of As-Deposited Poly-Crystalline Silicon Films to Low Temperature CMOS Thin Film Transistors.

著者 (5件)： MIYASAKA M (Seiko Epson Corp., Nagano, JPN) ,  KOMATSU T (Seiko Epson Corp., Nagano, JPN) ,  SHIMODAIRA A (Seiko Epson Corp., Nagano, JPN) ,  YUDASAKA I (Seiko Epson Corp., Nagano, JPN) ,  OHSHIMA H (Seiko Epson Corp., Nagano, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34  号： 2B  ページ： 921-926  発行年： 1995年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧下の化学的気相堆積(ILPCVD)におけるポリSiの連続...

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (13件)：

• INOUE, S. 1991 Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. 1991, 555
• LITTLE, T. W. J. Soc. Inf. Display. 1993, 1/2, 203
• OHSHIMA, H. 1993 Soc. Inf. Display Dig. 1993, 387
• SERA, K. Ext. Abstr.1991 Int. Conf. Solid State Devices and Materials. 1991, 590
• YAMAMOTO, S. Proc.12 Int. Display Research Conf., Japan Display'92. 1992, 565

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  CMOS ,  薄膜トランジスタ ,  堆積 ,  多結晶シリコン膜 ,  応用