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J-GLOBAL ID：200902150215028082   整理番号：98A0600882

Alを含まない活性領域(λ=805nm)を有する広帯域導波路ダイオードレーザの8.8W連続発振出力動作

8.8W CW power from broad-waveguide Al-free active-region (λ=805nm) diode lasers.

著者 (4件)： WADE J K (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  MAWST L J (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  BOTEZ D (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  MORRIS J A (LDX Optronics Inc., TN, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 34  号： 11  ページ： 1100-1101  発行年： 1998年05月28日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャビティ長1.25mm,ストライプ幅100μm,InGaP...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  活性領域 ,  広帯域 ,  導波路 ,  ダイオードレーザ ,  連続発振