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J-GLOBAL ID：200902150310693026   整理番号：02A0889174

HClフリー選択エピタクシーによって形成した高濃度ベースを用いた,190-GHz f_T,130-GHz f_max SiGe HBT

190-GHz f_T, 130-GHz f_max SiGe HBTs with heavily doped base formed by HCl-free selective epitaxy.

著者 (7件)： KIYOTA Y (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HASHIMOTO T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  UDO T (Hitachi ULSI Systems, Co. Ltd.) ,  KODAMA A (Hitachi Device Engineering, Co. Ltd.) ,  SHIMAMOTO H (Hitachi Device Engineering, Co. Ltd.) ,  HAYAMI R (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  WASHIO K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting  (Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting)
巻： 2002  ページ： 139-142  発行年： 2002年 
JST資料番号： W0105A  ISSN： 1088-9299  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *HBT【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： SiGe

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： HCl ,  エピタクシー ,  高濃度 ,  GHz ,  SiGe ,  HBT