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J-GLOBAL ID：200902150401935499   整理番号：95A0897785

窒素の原料としてアンモニアを用いて分子ビームエピタクシーによって高い成長速度で成長させたGaN

GaN grown by molecular beam epitaxy at high growth rates using ammonia as the nitrogen source.

著者 (3件)： YANG Z (Columbia Univ., New York) ,  LI L K (Columbia Univ., New York) ,  WANG W I (Columbia Univ., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 12  ページ： 1686-1688  発行年： 1995年09月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1μm/hという高い成長速度で分子ビームエピタクシーで高品質...

シソーラス用語： アンモニア ,...
準シソーラス用語： 成長速度【結晶】

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素 ,  原料 ,  アンモニア ,  分子ビームエピタクシー ,  成長速度 ,  成長 ,  GaN