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J-GLOBAL ID：200902150452608751   整理番号：94A0463697

GaN,AlN及びInNの低バイアス電子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング

Low bias electron cyclotron resonance plasma etching of GaN, AlN, and InN.

著者 (3件)： PEARTON S J (Univ. Florida, Florida) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, Florida) ,  REN F (AT&T Bell Lab., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 64  号： 17  ページ： 2294-2296  発行年： 1994年04月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴Cl₂/H<su...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  AlN ,  InN ,  バイアス ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  エッチング