文献
J-GLOBAL ID:200902150620856600
整理番号:97A1019200
ゾル-ゲル法によるSrBi2Ta2O9薄膜の作製と誘電特性
Preparation and Dielectric Properties of SrBi2Ta2O9 Thin Films by Sol-Gel Method.
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著者 (3件):
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資料名:
巻:
36
号:
9B
ページ:
5900-5903
発行年:
1997年09月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Pt/Ti/SiO
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜
, 強誘電体,反強誘電体,強弾性
引用文献 (6件):
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1) T. Noguchi, T. Hase and Y. Miyasaka: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4900
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2) I. Koiwa, T. Kanehara, J. Mita, T. Iwabuchi and T. Osaka: Ext. Abstr. 1996 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (Business Center for Academic Societies Japan, Tokyo, 1996) p. 628.
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3) T. Hayashi, H. Takahashi and T. Hara: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4952
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4) D. C. Bradley, R. C. Mehrotra and D. P. Gaur: Metal Alkoxide (Academic Press Inc., London, 1978) Chap. 5, p. 319.
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5) S. Katayama and M. Sekine: J. Mater. Res. 6 (1991) 36.
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タイトルに関連する用語 (4件):
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