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J-GLOBAL ID:200902151139788460   整理番号:99A0289144

H+注入後のSi(100)上エピタクシーSiGe層の歪緩和増強

Enhanced strain relaxation of epitaxial SiGe layers on Si(100) after H+ ion implantation.
著者 (7件):
資料名:
巻: 148  号: 1/4  ページ: 200-205  発行年: 1999年01月 
JST資料番号: H0899A  ISSN: 0168-583X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Si(100)上にSi<sub>1-x</sub>Ge<su...
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半導体の放射線による構造と物性の変化 

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