H<sup>+</sup>注入後のSi(100)上エピタクシーSiGe層の歪緩和増強

HOLLAENDER B; MANTL S; LIEDTKE R; MESTERS S; HERZOG H J; KIBBEL H; HACKBARTH T

文献

J-GLOBAL ID：200902151139788460 整理番号：99A0289144

H⁺注入後のSi(100)上エピタクシーSiGe層の歪緩和増強

Enhanced strain relaxation of epitaxial SiGe layers on Si(100) after H⁺ ion implantation.

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資料名：

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)

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巻： 148 号： 1/4 ページ： 200-205 発行年： 1999年01月
JST資料番号： H0899A ISSN： 0168-583X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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Si(100)上にSi<sub>1-x</sub>Ge<su...

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