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J-GLOBAL ID：200902151428260740   整理番号：03A0088509

窒素を含んだHfO₂-Al₂O₃積層ゲート誘電体を有するCMOSFETの改善された電流性能

Improved Current Performance of CMOSFETs with Nitrogen Incorporated HfO₂-Al₂O₃ Laminate Gate Dielectric.

著者 (9件)： JUNG H-S (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR) ,  KIM Y-S (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR) ,  RYU H J (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR) ,  OH C-B (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR) ,  CHO K-H (Samsung Electronics Co., Ltd., Kyunggi-Do, KOR) ,  BAIK H-S (Samsung Advanced Inst. Technol.) ,  CHUNG Y S (Samsung Advanced Inst. Technol.) ,  CHANG H S (Korea Res. Inst. Standard and Sci.) ,  MOON D W (Korea Res. Inst. Standard and Sci.)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2002  ページ： 853-856  発行年： 2002年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素 ,  HfO2 ,  Al2O3 ,  ゲート誘電体 ,  CMOSFET