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J-GLOBAL ID:200902151428260740   整理番号:03A0088509

窒素を含んだHfO2-Al2O3積層ゲート誘電体を有するCMOSFETの改善された電流性能

Improved Current Performance of CMOSFETs with Nitrogen Incorporated HfO2-Al2O3 Laminate Gate Dielectric.
著者 (9件):
資料名:
巻: 2002  ページ: 853-856  発行年: 2002年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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