文献

J-GLOBAL ID：200902151500445238   整理番号：03A0082341

高電圧電子顕微鏡によって特性づけたけい素中の亀裂先端転位

Crack tip dislocations in silicon characterized by high-voltage electron microscopy.

著者 (6件)： HIGASHIDA K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NARITA N (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  TANAKA M (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MORIKAWA T (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIURA Y (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ONODERA R (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Philosophical Magazine. A. Physics of Condensed Matter: Structure, Defects and Mechanical Properties  (Philosophical Magazine. A. Physics of Condensed Matter: Structure, Defects and Mechanical Properties)
巻： 82  号： 17/18  ページ： 3263-3273  発行年： 2002年11月20日 
JST資料番号： E0753B  ISSN： 0141-8610  CODEN： PMAADG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温でVickers押込法によってSi結晶に亀裂を生じさせ,...

シソーラス用語： 高圧電子顕微鏡 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0082341&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0753B") }}

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高電圧電子顕微鏡 ,  けい素 ,  亀裂先端 ,  転位