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J-GLOBAL ID：200902151576238592   整理番号：99A0155001

地球温暖化対策ガスC₅F₈を用いたコンタクトエッチング技術の開発

Development of Contact Etching Technology Using C₅F₈ Gas for Global Warming Prevention.

著者 (3件)： 今井伸一 (松下電子工業) ,  地割信浩 (松下電子工業) ,  二河秀夫 (松下電子工業)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 55th  ページ： 56-61  発行年： 1998年12月 
JST資料番号： F0108B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 地球環境保護のため,従来のパーフルオロコンパウンド(PFC)...

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,...
準シソーラス用語： 環境インパクト ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• Third Annual International ESH Conference, Montrey California, 1996. 1996
• Forth Annual International ESH Conference, Milano Ltaly, 1997. 1997
• KARECKI, Simon. SEMICON Southwest97. 1997, 1
• GOTO, Yasushi. Proceedings of 19th DryProcess Symposium, 1997. 1997, 261
• GOTTSHO, Richard A. J. Vac. Sci. Technol. B. 1992, 10, 5

タイトルに関連する用語 (4件)： 地球温暖化対策 ,  コンタクト ,  エッチング ,  開発