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J-GLOBAL ID：200902151586418084   整理番号：99A0432279

Si基板上への高移動度Ge p-チャネルMOSFETの試作

Fabrication of high-mobility Ge p-channel MOSFETs on Si substrates.

著者 (5件)： REINKING D (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  KAMMLER M (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  HOFFMANN N (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  HORN-VON HOEGEN M (Univ. Hannover, Hannover, DEU) ,  HOFMANN K R (Univ. Hannover, Hannover, DEU)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 35  号： 6  ページ： 503-504  発行年： 1999年03月18日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,SME(Surfactant-mediated epi...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： SME【エピタクシー】 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  高移動度 ,  Ge ,  チャネル ,  MOSFET ,  試作