湿った雰囲気中の低温アニーリングによるSiO<sub>2</sub>/Si界面の改善

SANO N; SEKIYA M; HARA M; KOHNO A; SAMESHIMA T

文献

J-GLOBAL ID：200902151636434027 整理番号：95A0449571

湿った雰囲気中の低温アニーリングによるSiO₂/Si界面の改善

Improvement of SiO₂Si interface by low-temperature annealing in wet atmosphere.

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巻： 66 号： 16 ページ： 2107-2109 発行年： 1995年04月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

平行平板リモートプラズマ化学蒸着で作ったSiO<sub>2<...

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酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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湿った雰囲気中の低温アニーリングによるSiO2/Si界面の改善

湿った雰囲気中の低温アニーリングによるSiO₂/Si界面の改善