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J-GLOBAL ID：200902151739497574   整理番号：97A0326020

二成分反応系列を使ったSi(100)上でのAl₂O₃薄膜の成長

Al₃O₃ thin film growth on Si(100) using binary reaction sequence chemistry.

著者 (4件)： OTT A W (Univ. Colorado, CO, USA) ,  KLAUS J W (Univ. Colorado, CO, USA) ,  JOHNSON J M (Univ. Colorado, CO, USA) ,  GEORGE S M (Univ. Colorado, CO, USA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 292  号： 1/2  ページ： 135-144  発行年： 1997年01月05日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正確な厚さと優れた共形性をもつAl₂O...

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二成分 ,  Si ,  Al2O3 ,  薄膜 ,  成長