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J-GLOBAL ID：200902151929379063   整理番号：01A0225053

温度誘起原子価遷移材料EuNi₂(Si_1-xGe)₂(x=0.75)における4d-4f共鳴光子放出研究

4d-4f resonant photoemission study on temperature-induced valence transition material EuNi₂(Si_1-xGe_x)₂(x=0.75).

著者 (9件)： OKUNO M (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  KIMURA S (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  GUNASEKARA H P N J (Ceylon Inst. Scientific and Industrial Res., Colombo, LKA) ,  TAKATA Y (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  HARUYAMA Y (Himeji Inst. Technol., Hyogo, JPN) ,  NATH K G (NTT Basic Res. Lab., Atsugi, JPN) ,  WADA H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MITSUDA A (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN) ,  KOTANI A (Univ. Tokyo, Kashiwa, JPN)
資料名： Activity Report of Synchrotron Radiation Laboratory  (Activity Report of Synchrotron Radiation Laboratory)
巻： 1999  ページ： 66-67  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： F0025C  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘起 ,  原子価遷移 ,  共鳴 ,  光子放出 ,  研究