Si:InSb/Si上の化合物半導体のエピタキシャル成長のための低温プラズマプロセス

文献

J-GLOBAL ID：200902151966658460 整理番号：98A0652824

Total low temperature plasma process for epitaxial growth of compound semiconductors on Si:InSb/Si.

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巻： 316 号： 1/2 ページ： 93-99 発行年： 1998年03月21日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

600°CでのSiの水素プラズマ表面クリーニングとAs蒸気を用...

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半導体薄膜

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