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J-GLOBAL ID：200902152165664961   整理番号：96A0107339

GaAs上のInGaAs量子ドットからの1.3μm光ルミネセンス

1.3μm photoluminescence from InGaAs quantum dots on GaAs.

著者 (5件)： MIRIN R P (Univ. California at Santa Barbara, California) ,  IBBETSON J P (Univ. California at Santa Barbara, California) ,  NISHI K (Univ. California at Santa Barbara, California) ,  GOSSARD A C (Univ. California at Santa Barbara, California) ,  BOWERS J E (Univ. California at Santa Barbara, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 25  ページ： 3795-3797  発行年： 1995年12月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーを用いて,(100)GaAs基板上にコヒー...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  InGaAs ,  量子ドット ,  光ルミネセンス